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Bei moderaten sinusförmigen Betriebsspannungen tritt in reinem Stickstoff der diffuse Townsend-Modus (APTD) auf. Das elektrische Feld ist hier ĂŒber den Entladungsspalt annĂ€hernd konstant, weshalb ein anodengerichteter exponentieller Anstieg der IntensitĂ€t der Emission beobachtet wird. Dementsprechend ist das IntensitĂ€tsmaximum direkt vor der Anode lokalisiert. Ăberraschenderweise lĂ€sst sich die APTD unter den gegebenen experimentellen Bedingungen (Breite des Entladungsspalts d_Spalt=1 mm und sinusförmige Betriebsspannung) ebenfalls in einer Helium-BE genieren. FĂŒr gewöhnlich wird jedoch in einer Helium-Entladung der diffuse Glimmentladungs-Modus (APGD) beobachtet, wobei der Entladungsspalt zwischen 2-5 mm breit ist. Das Emissionsmaximum einer solchen Entladung befindet sich durch die Ausbildung eines Kathodenfallgebiets vor der Kathode. Die geringe Breite des Entladungsspalts verhindert hier jedoch die Ausbildung der APGD. Entsprechend kann sich das Kathodenfallgebiet nicht entwickeln, wodurch die Spaltspannung nur schwach einbricht. Das IntensitĂ€tsmaximum der Emissionsentwicklung befindet sich wie bei der diffusen Stickstoff-BE direkt vor der Anode. Die ZĂŒnd- und Brennspannung ist in Stickstoff gröĂer als in Helium, da die VibrationszustĂ€nde des Stickstoffs effizient durch Elektronen angeregt werden und diesen dabei Energie entzogen wird. Helium hat jedoch keine VibrationszustĂ€nde, weshalb die Elektronentemperatur ansteigt und die ZĂŒnd- und Brennspannung deutlich geringer ist. Eine Erhöhung des Spannungsanstiegs dU/dt beeinflusst signifikant die Entladungsentwicklung in der diffusen Helium-Entladung. So fĂŒhrt eine Variation von der Sinus- zur Rechteckspannung zu einem Wechsel des Entladungsmodus, nĂ€mlich von der APTD zur APGD. Die Ursache hierfĂŒr ist der deutlich höhere Energieeintrag, was sich auf die Ionisationsprozesse auswirkt. Die Verwendung einer SĂ€gezahnspannung stellt in Bezug auf den Spannungsanstieg dU/dt eine Kombination aus der Sinus- und der Rechteckspannung dar. Mit dieser Betriebsspannung war es erstmals möglich, in einer Entladungsperiode entsprechend der Spannungsgradienten beide Entladungsformen (APTD und APGD) zu beobachten und zu studieren. Durch die OberflĂ€chenladungsmessung konnte nachgewiesen werden, dass die wĂ€hrend eines elektrischen Durchbruchs im Entladungsvolumen transferierte Ladung vollstĂ€ndig auf den Dielektrika akkumuliert wird. Der Vergleich der phasenaufgelösten OberflĂ€chenladungsdichtemessung mit der zeitlichen Integration der Stromdichte zeigt, dass die Akkumulation von OberflĂ€chenladungen instantan mit dem Auftreten eines Strompulses stattfindet. Nach einem Entladungsstrompuls bleiben die OberflĂ€chenladungen unabhĂ€ngig vom Entladungsmodus auf dem Dielektrikum konstant, bis die Entladung in der nĂ€chsten Halbwelle erneut zĂŒndet. In der filamentierten Entladung markieren die OberflĂ€chenladungen den Auftreffpunkt der einzelnen Mikroentladungen. Die OberflĂ€chenladungen sind an diesen Stellen stark lokalisiert. Die gemittelten radialen OberflĂ€chenladungsdichteprofile haben gezeigt, dass diese sowohl fĂŒr die negativen als auch fĂŒr die positiven OberflĂ€chenladungen einer GauĂ-Verteilung folgen. Die volle Halbwertebreite der entsprechenden OberflĂ€chenladungsdichteprofile unterscheidet sich. Die negativen OberflĂ€chenladungen nehmen eine gröĂere FlĂ€che ein als die positiven OberflĂ€chenladungen. Es konnte erstmals gezeigt werden, dass Mikroentladungen ĂŒber viele Entladungsperioden immer wieder an der gleichen Stelle zĂŒnden, wo sich aus einer vorhergehenden Entladung ein lokalisierter OberflĂ€chenladungsfleck entgegengesetzter PolaritĂ€t befand. Dieses PhĂ€nomen wird als Memory-Effekt bezeichnet. Durch zeitlich definiertes Abschalten der Entladung konnten die Lebensdauern von OberflĂ€chenladungen beider PolaritĂ€ten auf dem BSO-Kristall gemessen werden. Es konnte gezeigt werden, dass der Abbau der OberflĂ€chenladungen in zwei Zerfallsprozesse k_1 und k_2 unterteilt ist. WĂ€hrend des Prozesses k_1 nimmt die OberflĂ€chenladungsdichte innerhalb einiger weniger Sekunden deutlich ab. Die Zeitkonstante k_1 ist trotz der photoleitenden Eigenschaft des BSO-Kristalls unabhĂ€ngig von der Beleuchtungsfrequenz des Kristalls ist. Der zweite deutlich langsamer ablaufende Prozess zeigte hingegen eine starke AbhĂ€ngigkeit von der Beleuchtungsfrequenz der BSO-Kristalls. Wurde der Kristall kontinuierlich beleuchtet, verschwanden die OberflĂ€chenladungen unabhĂ€ngig von ihrer PolaritĂ€t nach wenigen Sekunden vollstĂ€ndig. Je kleiner die Beleuchtungsrate des Kristalls ist, desto lĂ€nger waren die OberflĂ€chenladungen nachweisbar. Der Zerfallsprozess k_2 beruht auf intrinsischen Transportprozessen. Hierbei wird davon ausgegangen, dass die negativen OberflĂ€chenladungen durch Elektronen nahe der OberflĂ€che gebildet werden. Die positiven OberflĂ€chenladungen sind Löcher im Valenzband, die durch Elektronen-Ionen-Rekombination entstehen.